据韩媒Theelec报道，在韩国首尔举行的第6届AI半导体未来技术会议上，SK海力士副社长金千星指出，公司正将AI服务的发展方向聚焦于“数据中心”与“智能终端”两大领域，并认为未来将逐步向“混合式AI服务”演进。
金千星表示，SK海力士提出的高带宽存储器（HBS）是一种专为智能终端设计的整合式存储方案，适用于智能手机、穿戴设备和机器人等对空间要求较高的平台。HBS的设计理念是将应用处理器（AP）、DRAM和NAND Flash整合到同一封装中，从而提升性能和效率。
据韩媒ET News报道，HBS无需使用复杂的硅穿孔（TSV）技术，因此制造成本较低且良率较高。该技术主要依赖UCIe作为AP与存储器之间的互连界面，同时采用低功耗宽输入输出（LPWIO）和晶粒间直连（D2D）技术。LPWIO通过增加I/O引脚数量提升带宽，而D2D则负责封装内多个晶粒之间的高速数据交换。
金千星还透露，SK海力士正在开发HBS，并将采用其独有的垂直布线扇出（VFO）封装技术。VFO技术通过垂直布线取代传统的弧形引线键合，进一步提升功耗效率。目前，HBS的需求逐渐增加，SK海力士正与客户协商具体应用方案，但尚未公开客户名单。
在SK海力士近期的“2026年组织改组与高层人事调整”中，金千星从企业用固态硬盘（eSSD）产品开发负责人晋升为解决方案开发负责人，显示出公司在AI存储领域的战略布局。
