据韩媒《文化日报》独家报道，SK海力士计划与韩国某存储器IC设计企业合作，首次进军低功耗DRAM晶圆业务，预计最快从2027年开始生产利基型存储器。目前，双方正就具体产品类型及产量进行讨论。
利基型存储器与广泛应用于人工智能服务器、智能手机和PC的通用型DRAM不同，是针对特定用途优化的存储器产品，广泛用于入门级手机、通信基础设施及监控设备等领域。尽管当前DRAM市场主流为10纳米级DDR5产品，但20纳米级制程产品仍占据重要市场份额。
此次合作被视为韩国存储器生态系的重要里程碑。SK海力士作为整合元件制造商（IDM），以往主要自行设计并生产存储器，而此次与韩国设计企业联手，旨在强化本土存储器产业链，应对来自中国市场的激烈竞争。
据悉，利基型存储器的生产很可能在无锡厂区进行。SK海力士无锡厂自2006年投产以来，一度占其整体DRAM产量的40%，是核心生产基地之一。然而，受中美贸易冲突影响，极紫外光（EUV）设备无法引入中国，导致先进制程转换受限。在此背景下，通过与设计公司合作生产利基型存储器，既能维持旧厂产能利用率，也能为韩国中坚企业提供支持。
韩国业界人士指出，此举有助于激活韩国存储器生态，减少对中国台湾地区地区南亚、力积电等厂商的依赖，同时提升韩国半导体产业整体竞争力。
