据日经新闻（Nikkei）报道，日本NAND Flash制造商铠侠（Kioxia）计划于2026年在岩手县北上工厂开始量产第10代新型NAND Flash存储器。该产品将大幅提升长期数据存储容量，助力人工智能（AI）数据中心市场布局。
铠侠规划的第10代NAND Flash存储器，其存储单元垂直堆叠层数从第8代的218层提升至332层。相比前代，单位面积记忆容量增加59%，数据传输速度提升33%，同时降低了电力消耗。这一技术突破将为大容量存储需求提供更高效的解决方案。
北上工厂的第2厂（K2厂）预计于2025年9月30日启动生产，初期将量产218层的第8代NAND Flash。随后，该厂将成为第10代NAND Flash的主要生产地。据消息人士透露，这一决定旨在优化资源配置，避免新建厂房。
与此同时，铠侠的四日市工厂将专注于高效能产品的生产。据悉，四日市工厂将于2026年3月底前开始量产第9代NAND Flash，主要应用于智能手机。尽管第9代产品的存储单元堆叠层数仍为120层，但通过采用CBA（CMOS直接键合阵列）技术，显著提升了数据处理速度并优化了能耗表现。
铠侠的战略布局明确，四日市工厂主攻高效能产品，北上工厂则侧重大容量产品，以满足不同市场需求。
