据最新曝光的瑞银报告显示，北方华创可能在90:1高深宽比刻蚀技术上取得重大突破。这项技术将有助于300层以上NAND Flash闪存的生产。
随着3D NAND技术不断演进，堆叠层数逐步迈向300层以上。在制造过程中，需要通过极高深宽比的深孔刻蚀设备实现数百层之间的连通。这些刻蚀设备的作用类似于在“摩天大楼”中挖掘数百层深且极其狭窄的“电梯井”。由于每层材料的总厚度固定，为实现数百层的互联，刻蚀结构必须笔直、均匀且互不干扰。此外，为了在单位面积内容纳更多存储单元，每个垂直通道孔的直径必须缩小到几十纳米量级。对于300层以上的3D NAND，深宽比需达到90:1甚至100:1，这成为半导体制造中最具挑战性的工艺之一。
瑞银指出，如果北方华创能够成功获得国内NAND Flash晶圆厂的订单，这将为其带来数亿甚至数十亿美元的新增市场机会。同时，鉴于国内对先进逻辑芯片的需求持续增长，北方华创来自国内先进逻辑芯片客户的收入也有望进一步提升。基于此，瑞银将北方华创2026/2027年的晶圆厂设备收入预测分别上调了1%和8%。
值得一提的是，国内刻蚀设备龙头企业中微公司此前已宣布在面向存储领域的高深宽比深孔刻蚀方面实现90:1的技术突破，并正在向100:1的目标迈进。北方华创的进展或将为国产设备在高端市场占据更大份额提供新的助力。
