SK海力士与东进半导体正联合研发高性能EUV光刻胶，旨在替代日本JSR、东京应化工业（TOK）等企业的供应产品，并开发性能更优的新型材料。据此前报道，SK海力士曾在2023年通过其子公司SK Materials Performance实现EUV光刻胶的国产化，但当时量产的仅为低规格型号。而高性能EUV光刻胶，作为核心半导体层的关键材料，长期完全依赖日本进口。
随着DRAM芯片中EUV工艺应用比例的持续提升，光刻胶研发的重要性愈加凸显。不同世代DRAM芯片的EUV光刻层数量呈递增趋势：10纳米级4代（1a）为1层，5代（1b）为3层，6代（1c）为5层，7代（1d）则达到7层。预计10纳米以下制程产品的EUV光刻层数量将进一步增加。
SK海力士此举一方面是为了更高效利用单台价值2000亿韩元的EUV光刻设备，另一方面也是为了应对DRAM芯片中EUV光刻层需求的快速增长。
