英飞凌GaN专利诉讼初裁结果出炉

据供应链业者透露，英飞凌对英诺赛科发起的氮化镓（GaN）专利诉讼，近日获得美国国际贸易委员会（ITC）的初步裁定支持。裁定确认英诺赛科侵犯英飞凌的一项GaN技术专利，同时认定英飞凌在本案中主张的两项专利均具法律效力。最终裁决预计将在2026年4月2日发布。

若裁决最终确认，英诺赛科涉嫌侵权的产品将被禁止进入美国市场。加上此前在德国的胜诉，英飞凌已成功在欧美市场对中国GaN龙头企业形成封堵。业内人士分析，这一法律行动直接推动全球GaN供应链向“市场分治”方向发展，且这种分治具有复杂性和双向性。

这场专利争议的影响不仅限于中国市场，还波及部分国际厂商在中国的投资。有国际厂商因与涉及专利争议的中国企业合作，其相关产品被限制在中国境内，陷入进退两难的境地。这表明，专利争议的风险极高，稍有不慎可能同时失去国际与中国市场的机会。

尽管AI算力需求迫切，部分国际IDM大厂仍需借助中国GaN供应链，但这种合作模式以中国本土市场为主。业内人士指出，即使是单纯采购英诺赛科的GaN晶圆并自行加工，也可能涉及英飞凌的专利。因此，国际厂商与英诺赛科的合作方向仅能延伸至不涉及专利争议的市场。

国际客户可利用英诺赛科的速度和规模优势，但在关键的西方市场（如美国、德国），需严格排除涉嫌侵权的产品，转而寻求“非中国”供应链满足GaN需求。这场法律与市场的博弈，预计将推动GaN供应链走向“在地化”与“专利主导权”的双轨发展。

英飞凌凭借其在硅基（Si）、碳化硅（SiC）和GaN三种关键功率半导体材料领域的专利优势，进一步巩固了其在AI、电动车等战略产业中的核心电源技术供应地位。这场专利战不仅改变了GaN市场的竞争格局，也为未来功率半导体的发展提供了新的思考方向。