据韩媒Deal Site分析，三星电子和SK海力士正调整其DRAM生产策略，以应对2026年的市场需求变化。据传，两家公司计划大幅提高DRAM产能增幅目标，其中三星将目标提升超过2倍，而SK海力士的产能投资目标也几乎翻倍。
证券业界预测，2026年全球DRAM产能增幅约为19%，三星和SK海力士分别计划实现21%和17%的增长。尽管产能扩张加速，但市场需求的增长可能仍将超过供给。
三星计划将更多资源集中于通用DRAM的生产，包括DDR5、LPDDR5X和GDDR7等产品。同时，三星可能会缩减部分用于生产HBM3E的1a DRAM产能，以增加通用DRAM的比重。针对下一代HBM4所需的1c DRAM，三星预计月产能将达到8万片晶圆。
SK海力士则在维持高带宽存储器（HBM）领先地位的同时，也开始关注通用DRAM的盈利能力。据传，SK海力士计划在2026年底前将其1c DRAM产能从每月2万片提升至16万片左右。
业内人士指出，尽管两家公司在具体策略上有所不同，但都希望通过优化产品组合来提升整体盈利能力。三星在2025年第3季财报电话会议中提到，将根据HBM与通用DRAM的获利情况调整增产规模。而SK海力士则表示，不会因短期获利波动而大幅改变产能分配。
