三星HBM4即将量产，加速进军NVIDIA供应链

据韩媒Newsdaily独家援引业界消息，三星电子第六代高带宽存储器（HBM4）已完成生产准备就绪批准（PRA）程序，正式进入量产倒数阶段。这一程序是三星内部对产品品质的最终认可阶段，通常被视为量产前的最后一道关卡。

三星此前因未能通过NVIDIA的品质测试而面临巨大挑战。通过设计调整，公司专注于改善发热等效能问题，试图重新在HBM市场占据主导地位。据透露，三星已成功达成内部标准，并取得HBM4认证，这将有助于通过NVIDIA的最终品质测试。

此外，三星还提升了基于1c制程的DRAM产品成熟度，采用4纳米制程强化基础裸晶效能，并结合矽穿孔（TSV）等多项技术，逐步缩小与竞争对手的差距。HBM4的量产计划原定于2025年内完成，但随着PRA的通过，这一进程或将加速。

随着三星HBM4进入量产准备阶段，预计其将加快切入NVIDIA供应链，未来市场竞争格局或将出现新的变化。