在2026年2月举行的国际固态电路研讨会（ISSCC 2026）上，三星电子和SK海力士将发布各自的新一代存储器技术。据韩媒Theelec和Chosun Biz报道，三星计划推出第六代高带宽存储器（HBM4），其带宽提升至3.3TB/s，而SK海力士则将展示高速LPDDR6和GDDR7技术。
ISSCC 2026将于2026年2月15日至19日在美国旧金山举办。该会议以企业研究员为主要参与群体，因此会发布大量即将进入量产阶段的技术成果。SK海力士资深研究员金东均（音译）在韩国首尔的记者会上透露，三星和SK海力士将分别公开其最新存储器技术。金东均是ISSCC的韩国委员，同时也是存储器（MEM）分组的发表人。
三星展示的HBM4容量为36GB，带宽达3.3TB/s，相较于2025年10月在韩国半导体大展（SEDEX 2025）上公开的2.4TB/s版本，性能提升了1.4倍。为满足AI加速器和超大规模模型训练的高流量需求，三星在HBM4中引入了通道别矽穿孔（TSV）路径的对齐信号（TDQS）自动校正功能，以提升高速区间的信号准确度。
SK海力士则将推出单针速度达14.4Gb/s的LPDDR6，这是新一代移动DRAM，相较于前代LPDDR5X，带宽显著提升。此外，SK海力士还将展示单针速度达48Gb/s、容量为24Gb的GDDR7。该产品采用对称型双通道结构，可同时处理读取和写入操作，主要应用于GPU、AI边缘推理和高分辨率游戏等高带宽场景。据金东均介绍，SK海力士通过基于低压差稳压器（LDO）的时脉分配架构，确保信号在超高速下的稳定性。
金东均指出，为满足不断提升的带宽和功耗效率需求，DRAM技术正在快速演进。三星的HBM4和SK海力士的LPDDR6、GDDR7正是这一趋势的体现。
在3D NAND Flash领域，铠侠和威腾电子将发布基于CBA（CMOS Bonded Array）结构的QLC超高密度产品。此外，中国在ISSCC 2026中继续保持论文采纳数量最多的地位，共96篇论文被收录，连续四年位居第一。除传统强势的电源管理IC（PMIC）等类比半导体领域外，中国在医疗等新兴技术分组中也开始崭露头角。
韩国学者认为，中国不仅在传统优势领域保持领先地位，还在更多新兴领域逐渐提升影响力。
