据韩国媒体Thelec报道，韩国智慧财产振兴院（KIPRO）研究员Kim In-soo在接受采访时指出，尽管韩国存储芯片厂商在HBM制造与堆叠技术上占据市场主导地位，但其对海外原材料与设备的依赖，以及缺乏混合键合核心专利，可能使其未来面临专利诉讼风险。
KIPRO分析显示，台积电与美国的Adeia在HBM制造所需的混合键合技术领域处于领先地位。Kim In-soo的研究团队通过AI技术审查了2003年至2022年间，在韩国、美国、日本、欧洲及中国公开的超过10000件相关专利，发现从专利质量和市场价值来看，Adeia拥有最具价值的专利组合。
Adeia通过旗下Invensas与Tessera等公司，掌握了包括直接键合互连和低温直接键合在内的核心技术专利，并拥有大量混合键合专利组合。此外，根据K-PEG评级，台积电在A3等级以上的高品质专利数量中排名第一，三星紧随其后，美光和IBM位列其后。台积电的SoIC技术也被认为具有高价值。
与此同时，中国在存储领域的专利布局也在加速。例如，长江存储掌握了包括Xtacking在内的核心技术，这些专利覆盖韩国、美国、日本、欧洲及中国市场，可能对韩国企业构成潜在诉讼风险。
Kim In-soo指出，尽管韩国在HBM相关专利数量上排名第二，但其专利质量和影响力“低于平均水平”。韩国在核心设备与材料上依赖进口，这对本土企业构成了潜在风险。目前，相关公司倾向于通过非公开协商方式签订授权协议，但从2026年起，随着混合键合技术的商业化，这些问题可能演变为诉讼。
值得一提的是，今年2月，三星电子与长江存储签署了一项专利许可协议，涉及开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术。三星计划从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该技术进行制造。
三星选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要是因为长江存储在该技术领域处于全球领先地位。三星评估认为，从下一代V10 NAND开始，已无法避免长江存储专利的影响。
