据市场消息，随着半导体制程进入2nm时代，高通和联发科正准备推出下一代旗舰移动芯片——骁龙8 Elite Gen 6与天玑9600。然而，这两款芯片不仅需要支付台积电高昂的2nm代工费用，还将面临LPDDR6 DRAM价格飙升带来的挑战。
LPDDR6内存技术预计将在2026年首次应用于骁龙8 Elite Gen 6和天玑9600的“Pro等级”芯片中。由于成本高昂，初期该技术将仅限于旗舰级设备。晶圆代工和内存成本的双重压力，将对智能手机厂商带来显著影响。
与此同时，有传言称中国内存制造商计划在2026年实现LPDDR6 DRAM的大规模生产。若此计划成功，或将为高通和联发科在内存采购价格上争取一定优势。
高通计划推出骁龙8 Elite Gen 6的两个版本：标准版和Pro版。Pro版将配备更强的GPU，并支持更快的LPDDR6内存。三星最新曝光的LPDDR6内存采用12nm制程，传输速率达10.7Gbps，能效提升约21%。
尽管如此，DRAM芯片价格的持续上涨仍将持续至明年，内存成本的增加将对2026年的旗舰设备产生不利影响。此外，台积电2nm晶圆代工的高昂费用（每片约3万美元）也将推高芯片定价。
有消息称，高通和联发科将采用台积电改进型2nm（N2P）制程，以追求微小的性能优势。然而，这种选择可能导致芯片定价进一步上升，对终端设备厂商和消费者造成压力。
在成本上涨的背景下，如何平衡定价与出货量将成为高通、联发科及手机厂商亟需解决的问题。若涨价幅度过大，可能抑制消费者购买意愿，进而影响市场表现。
