据“中时新闻网”报道，台积电近期接连发生两起涉及2nm制程机密泄露的案件。一起是离职高管罗唯仁疑似携带技术资料跳槽英特尔，另一起则是三名前工程师因涉嫌窃取2nm制程机密被起诉。
智慧财产及商业法院于11月19日首次召开延押庭，审理陈力铭、吴秉骏、戈一平三名涉案工程师的羁押问题。三人承认犯罪并请求具保停押，但检察官认为他们涉嫌重罪，仍需继续羁押。合议庭预计本周内作出裁定。
案件追溯至今年8月，智财分署起诉三人，分别求刑14年、9年和7年。起诉书指出，陈力铭因经济压力，在跳槽日本半导体设备商Tokyo Electron后，因量产测试屡次失败，铤而走险联系前同事吴秉骏和戈一平。两人通过远程连线进入台积电数据库，拍摄12张2nm制程机密照片并传给陈力铭，用于Tokyo Electron的文件中，企图争取台积电订单。
与此同时，台积电前资深副总罗唯仁疑似携带2nm制程资料跳槽英特尔一案仍在调查中。中国台湾“经济部”表示，高检署已介入调查，将配合说明核心技术管制方式。台积电董事叶俊显则强调，罗唯仁一年多前已调离核心研发岗位，未接触最敏感技术，台积电整体制度完善，不会因单一事件动摇外界信心。
中国台湾主委吴诚文透露，台积电内部正在厘清相关情况。若涉及竞业禁止条款，台积电将依法启动程序。然而，由于罗唯仁为美国籍，即使签署竞业禁止协议，台积电在法律上可能仍面临挑战。
