据ASML中国台湾暨东南亚区客户营销主管徐宽成透露,ASML于11月19日在中国台湾举办媒体会,介绍了High NA EUV光刻机的最新进展。随着半导体制程技术的不断微缩,High NA EUV光刻机能够帮助客户节省时间和成本,目前已吸引英特尔、IBM及三星等客户,累计曝光晶圆超过35万片。
徐宽成指出,当前社会正从“芯片无所不在”向“人工智能(AI)无所不在”转变。AI的快速发展将推动半导体先进制程和成熟制程需求的增长,预计到2030年,全球半导体销售额将突破1万亿美元。尽管摩尔定律的延续面临挑战,但未来10至15年仍会沿着这一方向发展,制程技术将持续微缩。
徐宽成提到,从浸润式光刻到极紫外光(EUV)光刻的过渡曾引发业界争议,而如今High NA EUV光刻机也面临类似质疑。主要争议点在于其高昂的成本,有观点认为其投入产出比不理想。此前,台积电业务开发及全球销售高级副总裁张晓强曾表示,虽然High NA EUV光刻机性能强大,但单台设备价格超过3.5亿欧元,而现有的标准型EUV光刻机足以支持台积电尖端制程生产至2026年。他还明确表示,台积电的A16和A14工艺技术不会采用High NA EUV光刻机。
不过,徐宽成强调,High NA EUV设备具备更高成像质量和简化流程的优势,有助于客户降低生产成本。目前,英特尔、IBM和三星已成为ASML的High NA EUV客户。此外,据SK海力士9月3日宣布,其位于韩国利川的M16制造工厂已安装首台High NA EUV系统并投入量产。
除了High NA EUV光刻机,ASML也在持续优化深紫外光(DUV)光刻设备,以更低的成本满足客户的大规模生产需求。同时,ASML还推出了XT:260设备,支持先进封装应用。