英诺赛科推出低压GaN电机驱动方案

英诺赛科最新发布的INNDMD72V200A1低压GaN电机驱动方案，通过4颗并联的InnoGaN器件INN100EBD018EAD与INS2040QC驱动芯片的结合，展现了高性能、高集成度和高可靠性的特点。该方案充分发挥了GaN器件在低压大电流应用中的潜力，能够很好地满足大功率伺服驱动对高效电机控制的需求。

为什么选择GaN技术？

英诺赛科基于低压GaN HEMT技术开发的INNDMD72V200A1方案，验证了GaN器件在多管并联结构下的损耗与热表现。该方案搭载FOC无感算法，支持实时电机测试，为实际应用提供了充分的数据支持。

核心参数一览

- 尺寸：185 × 100 × 28 (mm)

- 应用器件：INS2040QC × 3（驱动IC）、INN100EBD018EAD × 24（GaN分立器件）

- 输入电压范围：48Vdc-72Vdc

- 最大可持续输出相电流有效值（RMS）：200A

- 拓扑结构：三相逆变电路

- 控制方式：FOC无位置传感器算法 + 低边电流采样

系统框图

卓越性能表现

该方案在不同散热条件下展现出强大的带载能力：

- 72V母线 + 自然冷却：最大相电流90.8Arms

- 72V母线 + 5m/s风冷：最大相电流203.7Arms

- 48V母线 + 自然冷却：最大相电流96.2Arms

通过优化电路设计和布局，INNDMD72V200A1显著提升了系统的功率密度，适用于对体积和效率要求较高的应用场景。

优化设计与测试支持

英诺赛科采用自研驱动IC与GaN器件的4管并联结构，从驱动环路到功率环路均进行了精心优化，充分发挥了GaN器件高频、低损耗的优势。此外，控制板集成FOC无感算法，支持低边采样，用户可直接连接电机进行实时测试，大幅缩短开发周期。

实测数据展示

在不同母线电压与散热条件下，该方案表现出色。以下是部分关键数据摘要：

1. 48V母线（散热器+无风扇）

2. 72V母线（散热器+无风扇）

3. 72V母线（散热器+5m/s风冷）

应用领域广泛

该方案可广泛应用于机器人关节驱动、无人机推进系统、低压大功率伺服电机以及工业自动化设备等领域。英诺赛科通过INNDMD72V200A1方案，不仅展示了GaN技术在低压大功率电机驱动中的优势，还提供了从器件选型到电路设计和算法控制的完整解决方案，助力新一代电机驱动系统实现更高效率、更小体积和更强带载能力。