DDR5将成存储器市场新宠，被动元件需求激增

展望2026年存储器市场，供应链业者普遍认为，DDR4与DDR5的需求将迎来黄金交叉，DDR5有望加速崛起，成为市场新焦点。与DDR4相比，DDR5在架构上新增了内建电源管理IC（PMIC），这一变化显著提升了单个存储器模块对被动元件的用量与价值。

据业内人士透露，DDR5模块因新增PMIC，对被动元件的需求不仅延续了DDR4模块所需的积层陶瓷电容（MLCC），还催生了小尺寸、低功耗电感元件的新需求。每个DDR5模块的电感用量约为3至4个。这一变化使被动元件产业成为存储器市场升级的重要受益者。

当前存储器市场正出现产品世代与价格“倒挂”的现象。尽管DDR5规格更先进，但由于存储器原厂将产能转向高带宽存储器（HBM）等高端产品，DDR4产能迅速缩减，现货价格自2025年下半年以来持续飙涨，甚至超过DDR5的价格水平。这导致下游ODM厂和工业电脑（IPC）业者为确保长生命周期产品的供货稳定性，不得不高价抢购DDR4库存，进一步加剧了市场波动。

在此背景下，BT载板厂、存储器封测厂等周边零组件供应商也感受到急单效应。然而，这波DDR4抢购潮并非由终端需求激增引发，而是供应短缺与成本压力共同作用的结果。业界预计，2026年PC、NB等领域的客户将加速淘汰DDR4旧规格产品，DDR5的渗透率有望显著提升，存储器产业将迈入新时代。

中国台湾地区的电感元件厂商如国巨集团旗下奇力新、华新科旗下佳邦、台庆科、高创等，已提前布局存储器升级趋势，但仍需面对村田制作所（Murata）、TDK等国际大厂的竞争。这一市场变化也为被动元件供应链带来了新的成长动能。