据ChosunBiz报道，三星电子、SK海力士、铠侠、美光等全球八大NAND闪存制造商正协同缩减今年下半年的供应量。此举旨在通过控制供应推动价格上涨，同时加速将生产线转向四层单元（QLC）制程，以满足人工智能（AI）数据中心对QLC需求的快速增长。
市场研究机构Omdia数据显示，三星电子已将其今年NAND晶圆产量目标下调至约472万片，较去年减少约7%；铠侠亦将产量从480万片调整为469万片。Omdia预计，三星电子与铠侠的减产策略将持续至明年。SK海力士和美光同样在限制产出，SK海力士NAND产出同比下降约10%，美光位于新加坡的最大NAND生产基地Fab 7工厂，产能维持在略高于30万片的低位区间。
研究机构指出，NAND价格仅上一季度便上涨15%，未来涨幅或达40%至50%以上。据TrendForce数据，主流512Gb三层单元（TLC）NAND芯片晶圆现货价格较前周上涨14.2%，至5.51美元。现货价格的上涨意味着产品获取难度加大。
业内人士表示，在将现有TLC NAND产线转向QLC的过程中，四大主要供应商的部分TLC生产设备已暂停运转，自然形成减产效应。设备与制程转换期间产生的产出“损失”，往往引发市场价格急剧上扬。
此前长期受困于NAND供应过剩的三星电子与SK海力士，如今借价格上行契机着力提升盈利水平。美国闪迪（SanDisk）自本月起将其NAND产品的合约价格上调最高约50%。随着北美大型科技企业因担忧NAND价格飙升而展开“恐慌性采购”，部分分析师指出，2026年全年的NAND供应量或已被提前订购一空。
