格罗方德（GlobalFoundries）于周一（10日）宣布，已与台积电达成技术授权协议，获得650V和80V氮化镓（GaN）制程技术。这一合作将助力格罗方德推出新一代GaN电源元件，广泛应用于数据中心、工业设备及汽车领域，同时提供位于美国的GaN产能，以服务全球客户。
据格罗方德透露，随着硅基CMOS技术逐渐接近效能极限，GaN技术被视为满足高效率、高功率密度及小型化需求的核心解决方案。公司正积极布局完整的GaN产品线，涵盖650V和80V高效能制程，可支持电动车、数据中心、再生能源及快充等多样化应用。
格罗方德强调，其GaN解决方案专为高压环境设计，注重从制程、元件到应用整合的全方位可靠性。公司计划在其位于美国佛蒙特州伯灵顿的晶圆厂导入并认证台积电的GaN技术，借助当地在高压GaN-on-Silicon技术上的经验，加速量产进程。相关开发工作预计于2026年初启动，并在同年年底前投入生产。
格罗方德电力事业资深副总裁Téa Williams表示，此次技术授权彰显了公司在创新与差异化电源技术领域的承诺。GaN技术的引入将加快相关芯片的开发速度，助力解决数据中心、汽车及工业领域中的关键电力需求。
