据外媒Syracuse报道，美光最新披露的一份文件显示，其位于美国纽约州克莱附近的晶圆厂建设计划将推迟5年。与此同时，美光在爱达荷州的第二座晶圆厂建设将加速推进。此外，来自美国《芯片与科学法案》的补贴资金也将优先分配给爱达荷州的第二座晶圆厂。
今年6月12日，美光宣布了一项高达2000亿美元的美国投资计划。其中，500亿美元将用于研发投资，另外1500亿美元将用于扩大产能。具体包括：在爱达荷州博伊西建造第二家领先的存储器工厂；扩建并现代化改造位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有制造工厂；在纽约建设多达四座领先的大批量晶圆厂；并将先进的HBM封装能力引入美国，以推动高带宽存储器（HBM）的长期增长，满足AI市场的需求。
根据美光今年6月披露的环境影响报告（EIS）文件草案，第一座晶圆厂（Fab 1）的建设阶段将从2026年底开始（根据该公司7月1日公布的美国扩张计划，经过一年的准备工作，从2025年底开始），并将持续到2028年下半年或2029年初。工厂的完全装备通常需要12到24个月，因此可以合理预计，美光第一座晶圆厂将在2030年的某个时候开始生产DRAM，比最初预期晚了五年。
同样，该文件还将晶圆二厂的开工时间定为2028年下半年，晶圆三厂的开工时间为2033年下半年，晶圆四厂的开工时间为2039年上半年。因此，美光的存储产能扩建计划将在2045年完成并全面投产，这比原计划晚了五年。
美光在EIS声明中表示：“美光将从2025年第四季度开始动员，为拟议项目进行初步现场准备。前两个DRAM制造设施（晶圆一厂和晶圆二厂）预计分别在2029年和2030年投入运营，其余晶圆厂（晶圆三厂和晶圆四厂）预计将于2035年和2041年投入运营。”
如果Syracuse的消息属实，美光的纽约州晶圆厂项目似乎面临另一个重大延误。初始晶圆厂的建设阶段现在将持续约四年，而不是三年，从而将晶圆一厂的完工时间推迟到2030年底，而不是2028年下半年。这自然会推迟整个项目，以及招聘和运营时间表。据说新计划已获得奥农达加县工业发展局的批准，这意味着在监管机构审查下一阶段的批准和税收优惠的同时，场地准备工作可以继续进行。
报道称，美光没有具体说明修改时间表的原因，但承认对其与美国商务部的61亿美元《芯片与科学法案》融资协议进行了修订。据称，这一修改将美光在纽约的运营开始窗口延长了大约2年，因为据报道该公司提前了其在爱达荷州的ID2工厂建设。爱达荷州的两个设施——一个现有设施和一个计划中的设施将比克莱的设施提前完工，这表明项目优先事项正在进行战略性调整。
