据韩媒Newsis援引业界消息，尽管三星电子与SK海力士两大存储芯片巨头正全力推进新产线建设，且未来几年产能将持续释放，但受全球人工智能（AI）产业投资热潮带动，存储器市场供给短缺态势或难以缓解。
韩国业界测算数据显示，以12英寸晶圆为统计基准（含DRAM和NAND Flash），2025年三星与SK海力士的存储器月产能合计为309万 - 319万片，到2027年这一规模将提升至410万 - 420万片，两年间增幅超30%。
其中，三星电子的月产能预计从2025年的165万 - 175万片增至230万 - 240万片，增幅约35%；SK海力士则从144万 - 180万片提升至180万片，增幅约25%，两大企业扩产重心均向高附加值产品倾斜。
三星电子已重启韩国平泽四厂（P4）的施工进程，该厂定位为高端存储芯片生产基地，预计2026年正式投产第六代高带宽存储器（HBM4）。同时，三星已提前储备平泽五厂（P5）与平泽六厂（P6）的建设用地，为后续产能扩张预留空间，预计未来三年在存储领域的投资规模将超500亿美元。
SK海力士位于韩国清州的M15X工厂已进入设备安装阶段，该工厂专门生产HBM芯片，预计2026年投产初期月产能可达5万片晶圆，满产后将成为全球最大的HBM单一生产基地。此外，SK海力士正在龙仁市打造半导体产业集群，计划2027年投入运营。SK集团会长崔泰源透露，该集群规模相当于M15X晶圆厂的24倍。
然而，韩国业界与证券界普遍认为，这仍难以满足市场对存储器尤其是HBM的激增需求。数据显示，2025年全球HBM供给短缺率预计将达到30%，2026年短缺情况进一步扩大至35%，到2027年短缺率可能突破40%。
除HBM外，传统存储器市场也面临结构性供需失衡。华邦电子总经理陈沛铭指出，目前部分客户已开始寻求签订长达6年的DDR4产品长期合约，以锁定供应稳定，这种结构性变化预计将持续到2027年。
其指出，存储器技术迭代速度加快，导致不同代际产品供需分化明显。从市场应用来看，当前服务器领域仍以DDR4为主，尽管DDR5凭借更高带宽和更低功耗逐步渗透，但受主板兼容性、成本等因素影响，全面替代还需2-3年时间。价格方面，受益于需求支撑和库存去化完成，DDR5价格涨势预计将延续至2026年。
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