据韩媒IT Chosun、首尔经济等报道，韩美半导体（Hanmi Semiconductor）宣布将在2026年下半年推出一款专为次世代高带宽存储器（HBM）设计的设备——Wide TC Bonder。业界预计，这款设备将从第八代HBM5开始正式应用。
存储器行业近年来致力于突破HBM高容量与高速化的技术瓶颈。然而，随着堆叠层数超过20层，技术难度显著增加。因此，行业逐渐转向扩大HBM芯片面积的“Wide HBM”开发方向。通过扩大芯片面积，可以稳定增加矽穿孔（TSV）和输入输出（I/O）接口的数量，同时提升连接DRAM芯片与中介层（interposer）的微凸块（micro bump）数量。这种方式不仅能够确保存储器容量与带宽，还能比高堆叠方式更易于散热并提升能效。
此外，Wide TC Bonder设备还支持无助焊剂键合（fluxless bonding）功能。相比传统方式，该技术无需清除助焊剂残留，可简化工艺流程，增强键合强度，并进一步减薄HBM厚度。
值得一提的是，韩美半导体在设备外观设计上采用了灵感源自韩国高丽青瓷的“青瓷绿（Celadon Green）”配色。公司表示，将紧跟HBM技术发展趋势，率先提供搭载新技术的Wide TC Bonder设备，助力客户提升次世代HBM的生产竞争力。
不过，业界预计，随着Wide TC Bonder的推出，韩美半导体原计划用于支持次世代HBM高堆叠生产的混合键合（hybrid bonder）设备的导入时间可能会因此推迟。
