据应用材料（Applied Materials）介绍，混合键合技术与矽穿孔（TSV）技术共同推动芯片向2.5D和3D封装迈进。混合键合技术通过实现铜对铜（Cu-Cu）的直接连接，省去了传统封装中的焊料凸块（solder bumps）或微凸块（micro-bumps），从而大幅降低电阻，提升互连密度，并缩短信号传输距离。这种技术特别适合芯片堆叠，可显著提高性能并降低功耗，几乎接近单晶设计的水平。
混合键合技术在高带宽存储器（HBM）领域的需求尤为突出。据市调机构Business Research Insights预测，全球混合键合技术市场将从2025年的1.99亿美元增长至2034年的7.13亿美元，展现出巨大的发展潜力。
目前，多家企业正积极布局混合键合设备领域。荷兰的BESI、新加坡的ASMPT、韩国的韩美半导体（Hanmi Semiconductor）及韩华Semitech（Hanwha Semitech）均已投入相关研发。此外，乐金电子（LG Electronics）也计划进军这一领域。
