据市场人士透露，2025年以来，全球存储器与存储芯片价格持续上涨，涨幅超出业界预期。AI基建与高算力服务器需求的激增成为主要推动力，供应链压力快速传导至终端电子产品，手机与PC制造商面临日益明显的成本压力，预计这一趋势将持续至2026年。
存储器设计大厂兆易创新在法人说明会上表示，随着AI服务器与云端运算基础设施建设加速，全球存储器需求进入高速成长期。公司预期利基型DRAM市场将持续供应紧张，价格高位将至少维持至2026全年。副董事长暨总经理何卫指出，三大国际DRAM厂商陆续退出利基市场，导致供给收缩，而AI与数据中心对存储器需求的挤压效应，使供需缺口难以短期内缓解。
兆易创新第3季业绩亮眼，单季营收达26.8亿元人民币，年增31.4%，净利5.08亿元，年增逾6成。存储器产品涨价带动毛利率提升3.7个百分点至40.7%。利基型DRAM业务表现尤为突出，公司预计2025年该业务营收有望超预期达成年初50%成长目标，并于下半年超越MCU成为第二大产品线。
产品规划上，兆易创新2025年新量产的DDR4 8Gb产品已快速抢占市场，销量与DDR4 4Gb接近。公司计划2025年量产自研LPDDR4系列产品，并启动开发LPDDR5小容量版本。此外，NOR Flash与NAND Flash产品也因AI应用热潮而受益。数据中心与边缘AI设备对非挥发性存储芯片需求激增，主流厂商转产3D NAND导致2D NAND供给收缩，带动2D NAND与NOR Flash价格自第3季上扬。
兆易创新预计，NOR Flash将维持温和涨价周期，2025年营收有望较2024年增长10%，中长期看好工业与车用市场需求。展望2026年，公司表示利基型DRAM价格将维持高位，Flash业务延续稳定成长，增速高于产业平均。定制化存储器解决方案将在汽车座舱、AI PC与机器人等领域陆续量产，成为下一阶段成长动能。
面对成本上升，兆易创新表示晶圆厂产能持续满载，DRAM与Flash产能弹性有限，2026年产品成本将上升。公司将通过长期协议与核心供应商协商，确保稳定供应与价格支持。业界观察认为，AI应用挤压主流DRAM与Flash产能，已成为本轮存储器涨价的结构性因素，存储器价格短期难以回落，终端制造商的成本压力或将进一步扩大。
