SK海力士正加速从传统存储器制造商向“全栈AI存储器创造者”转型。据SK海力士CEO郭鲁正透露，该公司将聚焦定制化高带宽存储器（HBM）、AI DRAM和AI NAND三大方向，与GPU、云端、平台及封装合作伙伴共同设计新一代存储器解决方案，以应对AI时代的需求。
当前AI系统面临“存储器瓶颈”问题，存储器性能无法匹配处理器和加速器的效能，成为制约AI基础设施效率的关键因素。郭鲁正在SK AI Summit的主题演讲中指出，存储器正从过去的跟随角色转变为决定整体效率的核心组件。
SK海力士计划通过定制化HBM、AI DRAM和AI NAND等产品，解决客户在运算资源利用上的痛点。例如，定制化HBM将部分GPU或ASIC功能集成到HBM的基础裸晶中，从而提升运算效能，降低功耗，优化总持有成本（TCO）。此外，针对不同行业客户的需求，SK海力士还将提供差异化解决方案。
在DRAM领域，SK海力士致力于研发低功耗、高性能的新规格产品，同时突破容量限制，推出灵活分配存储器使用方式的解决方案。这些技术将扩展至机器人、工业自动化和移动出行等AI应用场景，助力实体AI的实现。
NAND Flash方面，SK海力士规划了三种AI NAND产品方向。首先是高密度且对HDD具备价格竞争力的“Ai-N D（MLF、NL SSD）”；其次是缩小晶粒尺寸、大幅提升输入输出速度的高效能SSD“Ai-N P”；最后是可与HBM整合、突破容量限制的“AI-N B（HBF）”产品。
根据郭鲁正公开的产品蓝图，2026至2028年间，SK海力士将陆续推出定制化HBM4E、LPDDR5X SOCAMM2、第二代MRDIMM等技术；2029至2031年则进入定制化HBM5及HBM5E、LPDDR6 SOCAMM、第三代CXL PIM-Next等更先进技术阶段。
为实现上述目标，SK海力士正与全球主要企业展开合作。例如，与NVIDIA合作推动HBM与AI制造革新，并通过Omniverse数码分身技术提升晶圆生产效率；与OpenAI探讨高效能存储器的长期导入可能性；与台积电共同研发新一代HBM与先进封装技术；与SanDisk推动建立HBF标准；并与Naver Cloud在数据中心环境中验证存储器与软件的优化效果。
