据韩媒New Daily、G-enews等援引业界消息，不仅高带宽存储器（HBM）供不应求，通用型存储器也陷入供应短缺。据TrendForce预测，2026年第一季度起，DDR5等通用型存储器的盈利能力将首次超越HBM3E。
近年来，HBM凭借价格优势成为制造商的核心获利来源。2025年第二季度数据显示，HBM3E的平均价格为通用DRAM的4倍以上，溢价效应明显。但这一格局正快速改变，全球IT需求回升、服务器更新换代及AI基础设施扩张，共同带动DDR5价格稳步上涨。预计2026年HBM3E合约价将同比下滑，与DDR5的价差大幅缩小。
HBM与DDR5共用部分晶圆厂产能及先进制程设备，在两者均保持高需求与高获利性的背景下，产能扩充受限促使三星与SK海力士重新规划2026年量产布局。
三星作为业界产能龙头，计划根据市场趋势动态调整DRAM与HBM的生产比重。其目前已向NVIDIA等核心客户供应HBM3E，将于2025年第四季度启动HBM4初期量产，2026年全面扩大规模。这款采用10纳米级第六代DRAM工艺的产品，带宽高达2TB/s，目标配套英伟达2026年发布的“Rubin”AI加速器。通用存储器方面，三星将聚焦128GB以上高容量DDR5产品扩产，适配高性能计算（HPC）服务器的需求增长。
SK海力士则在HBM3E市场占据主导地位，且已率先搭建HBM4量产体系，其HBM4产品带宽较HBM3E翻倍、能效提升超40%。公司看好HBM4需求增长，计划以新厂清州M15X为核心据点，进一步扩大HBM整体产能，持续强化高端市场竞争力。
2026年将成为三星与SK海力士在“短期获利”与“长期成长”间做出战略抉择的关键年。短期内，DDR5价格上涨带来的即时收益增长极具吸引力，尤其是HPC服务器转型与单台内存配置翻倍（2026年AI服务器平均配置预计达256GB以上），支撑DDR5需求持续扩容。
中长期来看，HBM作为AI高算力场景的核心组件，其主导的高端市场仍具备更稳定的获利潜力。业界普遍认为，两家厂商不会采取简单的“二选一”策略，而是通过产能倾斜与定价调整寻求平衡 —— 既可能增加DDR5产能以锁定短期利润，也会通过技术升级维持HBM系列的平均销售价格（ASP），实现双产品线协同增长。
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