11月3日，在韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上，SK海力士CEO Kwak Noh-Jung正式提出“全线AI存储创造者”的全新愿景，旨在巩固公司在AI时代存储领域的领导地位。
据SK海力士介绍，随着AI技术的快速发展，信息流量呈现爆炸式增长，但存储性能未能与处理器技术同步提升，形成了所谓的“存储墙”问题。为此，SK海力士计划从传统的“全栈存储供应商”转型为“全线AI存储创造者”，以更深层次的角色参与AI计算领域，包括作为共同架构师、合作伙伴和生态贡献者，助力客户解决技术难题。
为实现这一目标，SK海力士推出了一系列创新产品，包括定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。这些产品将突破传统以计算为中心的存储模式，向多元化和功能扩展方向发展，从而提升计算资源的使用效率，并缓解AI推理中的瓶颈问题。
在定制化HBM方面，SK海力士将客户需求融入产品设计，通过整合GPU和ASIC的特定功能，提升系统效率并降低数据传输功耗。此外，AI DRAM被细分为三个方向：AI-D O（优化）专注于低功耗和高性能，AI-D B（突破）致力于解决“存储墙”问题，AI-D E（扩展）则拓展了DRAM在机器人、工业自动化等领域的应用场景。
在AI NAND领域，SK海力士也推出了三种下一代存储解决方案：AI-N P（性能）提升处理速度和能效，AI-N B（带宽）通过垂直堆叠芯粒扩大带宽，AI-N D（密度）则通过超高容量增强成本竞争力。公司计划在2026年底前推出相关样品，进一步推动技术落地。
Kwak Noh-Jung强调，AI时代需要通过与客户和合作伙伴的协同创新来实现突破。目前，SK海力士已与多家全球领先企业展开合作，包括与英伟达在HBM领域的合作，利用NVIDIA Omniverse提升晶圆厂生产力；与台积电合作开发下一代HBM所需的逻辑制程基底芯粒；并与OpenAI长期合作供应高性能内存。此外，SK海力士还与Sandisk共同制定HBF（高带宽闪存）的全球标准，并与NAVER Cloud优化AI存储产品，以适应真实数据中心环境。
未来，SK海力士将继续以客户为中心，与合作伙伴共同推动技术进步，迎接AI时代的挑战。
