据报道，安森美半导体（Onsemi）近日推出一款垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源以及航空航天和国防等高能耗领域提供了更高功率密度、效率和耐用性的解决方案。这一新技术采用垂直导电设计，电流可垂直流经化合物半导体，支持更高工作电压与更快开关频率，从而实现显著节能效果，同时使系统设计更加小巧轻便。
这款突破性功率半导体由安森美位于美国纽约州锡拉丘兹的晶圆厂研发制造。公司拥有超过130项全球专利，涵盖基础工艺、器件设计、制造及系统创新等核心环节。与传统商用横向结构的氮化镓（GaN）器件不同，vGaN直接在GaN衬底上生长GaN，电流能够穿透芯片而非仅流经表面。这种设计不仅大幅提升了电流密度和工作电压，其开关频率也优于硅（Si）或碳化硅（SiC）产品。
安森美半导体企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan指出，vGaN技术将重新定义行业格局，巩固公司在能效与创新领域的领先地位。当前，电动汽车、可再生能源及AI数据中心等领域的电力需求增长已远超高效发电与输电能力，节能成为技术进步的关键。vGaN技术的推出，为客户提供了实现卓越性能的核心工具，也使安森美在以能效和功率密度为核心的未来竞争中占据优势地位。
