高通（Qualcomm）近期发布了两款AI推论加速器AI200和AI250，选择放弃主流的高带宽存储器（HBM），转而采用大容量LPDDR移动DRAM，试图以成本与功耗效率作为差异化优势。据韩媒Businesspost报道，如果高通的新策略能够成功，三星电子和SK海力士等存储器供应商可能因此受益。
高通此次进军数据中心AI芯片市场，直接与NVIDIA、AMD等巨头展开竞争。其AI加速器的亮点在于通过大容量移动DRAM降低成本并提升功耗效率。例如，AI200解决方案中搭载了768GB的LPDDR移动DRAM，远超竞争对手采用的HBM平均容量。尽管HBM因垂直堆叠DRAM技术而被视为提升AI芯片性能的关键，高通却另辟蹊径，选择容量更大的移动DRAM。
在移动DRAM市场，三星、SK海力士和美光占据主导地位。对三星而言，由于其HBM技术开发较晚，在AI芯片热潮中未能像SK海力士和美光那样获得显著收益。然而，凭借在移动DRAM市场的领先地位，三星有望获得更多供货机会。此外，当前DRAM供应短缺导致价格上涨，若AI领域催生新需求，将对市场形成长期利好。
据外媒WCCFtech分析，高通采用LPDDR DRAM不仅提升了功耗效率和存储器密度，还优化了散热管理，具备成本竞争力。然而，未采用HBM可能使其在性能上逊色于NVIDIA和AMD的AI加速器，且其在数据中心环境中的实际表现尚需验证。
