存储器厂商华邦电近日宣布，其董事会已通过一项高达新台币355.09亿元的资本支出规划，主要用于扩产及技术升级。据其公开资料显示，这笔资金将用于购买生产设备、厂务设施工程以及研发设备，预计从2025年10月起逐步投入，资金来源为自有资金与银行融资。
华邦电的扩产计划主要集中在高雄厂。目前，高雄厂第一期月产能约为1.5万片，全部用于DRAM生产，其中20纳米制程占比约1万片，25纳米占比其余部分。按照规划，高雄厂将于2026年第一季导入16纳米制程，并在同年第三季后逐步释放新增产能。此次扩产的重点将是DDR4产品，预计新增产能将达到7,000至8,000片。
此外，华邦电台中厂以Flash生产为主，总产能约5万片，其中NOR Flash约2.5万片，NAND Flash约1.5万片，另有1万片用于传统型DRAM生产。未来，随着高雄厂扩产完成，16纳米与20纳米制程的产能比例将逐步趋于平衡，16纳米产能将优先用于定制化AI存储器方案。
华邦电表示，此次资本支出的大幅提升，主要因应AI技术发展对存储器需求的结构性改变。此前，华邦电在2025年初规划的资本支出仅约53亿元，主要用于支付2024年部分设备延迟交付的尾款。如今，资本支出上修至355亿元，增幅接近5倍。
公司计划于11月5日召开法说会，进一步说明扩产细节及未来规划。市场预计，设备交期从5个月延长至9个月，将对实际增产时点产生一定影响。
