热压键合（Thermo-Compression Bonding，简称TCB）是一种先进封装技术，通过热与压力实现芯片与基板之间的金属导点连接。其原理基于固态扩散键合（solid-state diffusion bonding），在焊料不熔化的情况下，通过精确控制温度（约200~400°C）和压力，使两个金属表面（如Cu-Cu、Au-Au或SnAg）的原子互相扩散，形成稳定的冶金结合。
TCB工艺包括芯片对位、预热、加压键合和冷却固定等步骤。对位精度需达到微米级别，以确保微凸点（micro-bumps）能够准确接触。该技术可支持40微米以下的接脚间距，广泛应用于高密度2.5/3D封装以及高带宽存储器（HBM）等异质集成架构中。
相比传统焊锡接合，热压键合具备多项优势，如高接合强度、低热变形和优异的信号传输稳定性。由于是固态接合，不易产生气孔和氧化问题，因此可靠性更高。然而，TCB对温度、压力和对位精度的控制要求极高，同时设备与工艺成本也较高。
据公开资料显示，主要的TCB封装设备供应商包括库力索法（K&S）、ASMPT、Besi、韩华半导体以及韩美半导体等企业。这些公司在推动高密度封装技术的发展中扮演了重要角色。
