长江存储近日启动了三期工厂建设计划，项目注册资本高达207.2亿元人民币。据悉，该厂区以“全面采用国产半导体设备制造”为目标，力求实现设备供应链100%国产化。
长江存储二期工厂曾受美国对华半导体出口限制直接影响，月产能目标从10万片下调至4万~5万片。也正因此，加速与国内设备厂商合作、构建自主可控的设备体系，成为长江存储突破发展瓶颈的必然选择。
据业界消息，目前长江存储已与多家国内半导体设备供应商达成合作，订单覆盖曝光、蚀刻、沉积、清洗等3D NAND制造的关键制程环节。从产能规划来看，长江存储三期厂预计月产能接近10万片，若项目按计划推进，将于2026年建成投产；届时其整体月产能将有望提升至30万片。
不过，对于“100% 采用国产设备”的目标，业界部分人士持审慎态度。有分析师和业界人士指出，当前国产半导体设备在良率稳定性、生产成本控制等商业化关键维度，仍与国际一线厂商存在差距。尤其是高端3D NAND制造所需的曝光机等核心设备，目前仍依赖阿斯麦（ASML）等国际厂商的先进产品。
基于此，业界认为，长江存储要实现从“国产化设备试产线”到“稳定大规模量产”的跨越，仍需克服多重技术与商业挑战：一方面需持续推动国产设备的技术迭代与性能优化，另一方面要通过产线磨合不断调试设备与工艺的适配性，这一过程恐需3-5年的漫长周期。
市场人士预测，若长江存储能逐步实现国产化设备的稳定导入，未来在全球存储器市场或采取更积极的价格策略与市场拓展动作。然而，良率、制造成本、国际品牌信任度等问题仍是其需要解决的核心课题。
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