力积电在第三季法说会上透露，尽管整体业绩表现平平，但得益于存储芯片市场价格回升，公司第三季运营状况有所改善。总经理朱宪国预计，第四季投片量和DRAM代工价格将继续上涨，这一趋势有望延续至明年上半年。
数据显示，力积电第三季营收达新台币118.41亿元，环比增长5%；每股亏损为新台币0.65元，较上季略有收窄；产能利用率从上季的75%提升至78%。
朱宪国提到，AI应用对高端存储芯片的需求持续旺盛，尤其是HBM相关产品供不应求。在传统存储市场，利基型DRAM因产能转移至高价值产品而供应受限，价格持续上涨；SLC NAND Flash则因大厂减产策略推动，价格开始回升，但涨势相对温和。此外，随着AIoT应用兴起，NOR Flash需求增长明显，价格也呈现上扬趋势。
逻辑代工方面，IT与消费电子市场需求仍显保守。手机市场呈现两极分化，旗舰新机发布刺激了高端需求，但中低端市场表现疲软。面板厂在“十一长假”后采取控产措施，产能利用率下降5%-10%。
在先进封装领域，力积电正与多家国内外厂商合作，布局AI领域的3D堆叠（WoW）及2.5D硅中介层技术。目前，先进封装相关产品线占总营收约2%。其中，WoW技术已进入验证阶段，预计明年下半年量产；硅中介层技术试产良率已达量产水平，未来将逐步扩大投片规模。
朱宪国还表示，NOR Flash领域客户验证取得进展，预计年底将逐步放量。电源管理IC及功率元件在AI服务器和车用市场仍将是公司重点发展方向。
谈及中荷关于安世半导体控制权之争的影响，朱宪国坦言局部小量品种受影响，但未见结构性变化。成熟制程市场表现平淡，未来能见度较低，是否涨价尚难确定。至于与印度合作的12英寸晶圆厂项目，预计2026年难以量产，2027年才可能建成并逐步贡献技术授权费收入。
