据相关报道，随着NVIDIA宣布AI服务器进入800V高电压供电时代，功率半导体领域迎来了新的技术竞争。氮化镓（GaN）作为宽能隙半导体的重要代表，正成为市场关注的核心。
近年来，多家企业积极投入GaN技术的研发，使其应用范围从传统的消费性市场逐步拓展到高电压场景。尽管GaN目前在快速充电领域仍占据主导地位，但其在车用功率模块和AI服务器中的表现也日益受到重视。部分厂商甚至已开发出适用于1,000V以上环境的GaN技术，展现出广阔的应用前景。
欧系厂商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于与传统矽材料整合，这不仅降低了开发难度，还提升了开发效率，有助于压缩系统成本。在AI服务器中，GaN凭借其极高的开关速度，能够有效应对AI模型运算中的电压波动，成为供电方案中的关键材料。
当前，AI服务器的设计趋势是将运算与供电模块分离，同时追求更小的功率半导体体积和更高的功率密度。宽能隙半导体的使用量因此大幅增加，而GaN凭借其技术优势，预计将在未来AI服务器供电领域占据重要地位。
包括英飞凌（Infineon）、意法半导体（STM）、罗姆（Rohm）和德州仪器（TI）等在内的功率半导体整合元件制造商（IDM），以及Power Integrations等IC设计企业，均已为GaN技术与量产做好准备。业内人士表示，GaN的技术突破已成为抢占AI服务器市场的重要因素。
