电装开发SiC晶圆量产技术，计划2026年供货

据报道，日本电装（Denso）正在开发一种高效率的碳化硅（SiC）晶圆量产方式，并计划于2026年9月开始供应自制SiC晶圆。这一技术的突破将有助于提升SiC功率半导体的生产效率和品质。

电装已经将SiC功率元件、模块以及逆变器成功商品化，并应用于丰田汽车（Toyota）旗下高端品牌Lexus的纯电动车RZ等车型。然而，目前电装所需的SiC晶圆仍依赖外部采购。为改变这一局面，电装与富士电机（Fuji Electric）共同向日本“经济产业省”提交了强化日本国内SiC生产能力的申请，并获得批准。双方将投资2,116亿日圆（约合14亿美元），用于生产SiC功率元件及晶圆，其中最高可获得约705亿日圆的补助。

电装在SiC单晶制造技术上进行了长期研发，尤其聚焦于高温化学气相沉积法（HTCVD）和RAF法（Repeated a-face）。面对中国厂商在SiC晶圆数量、品质及低成本上的竞争优势，电装试图通过HTCVD技术提升生产效率，同时借助人工智能（AI）技术加速技术改进。电装与丰田汽车及双方合资公司Mirai Technologies合作，已提出将AI技术应用于SiC晶体成长的专利申请，但尚未通过。

与此同时，国内SiC晶圆制造商如山东天岳先进科技，也在利用AI技术提升晶圆品质。电装结合HTCVD技术与AI的SiC晶圆量产计划，将在2026年接受市场检验，其品质与商业竞争力将备受关注。