近日，一家名为Vertical Semiconductor Inc.（简称“Vertical”）的初创公司宣布完成1100万美元种子轮融资。本轮融资由Playground Global领投，Jimco Technology Ventures、Milemark-Capital和Shin-etsu等多家机构跟投。
据悉，Vertical脱胎于麻省理工学院Palacios Group实验室，专注于开发垂直氮化镓（Vertical GaN）晶体管技术。这项技术旨在解决人工智能数据中心电力输送效率低下的难题。氮化镓（GaN）作为一种新型半导体材料，相较于传统硅基芯片，具备更高的效率、更快的开关速度，以及在高温高压环境下工作的能力，已在电动汽车和电力电子领域得到广泛应用。
Vertical的创新之处在于将传统的横向晶体管设计改为垂直堆叠结构。这种设计不仅提高了芯片内晶体管的集成密度，还支持更高电压，显著提升性能。此外，垂直结构的热管理能力更优，热量散逸更高效，从而支持更高的功率密度。同时，其独特的“雪崩”自我保护机制，进一步增强了晶体管的可靠性。
据Vertical估算，采用其垂直GaN技术，数据中心的效率可提升30%，功耗可降低一半。公司联合创始人兼首席执行官Cynthia Liao表示：“AI硬件发展的瓶颈在于芯片供电速度，而我们的技术能够将能量转换更靠近芯片，从而提高计算效率。”
目前，Vertical已利用八英寸晶圆和标准互补金属氧化物半导体（CMOS）制造方法验证了其技术的可行性。公司计划在今年年底前向早期客户提供封装器件样品，预计2026年底前推出完全集成的解决方案。
Playground Global的Matt Hershenson对此评价道：“Vertical解决了半导体行业多年来的一大难题，即如何实现高压、高效且可扩展的电力电子器件。”
