天成半导体成功研制12英寸碳化硅单晶材料

近日，天成半导体通过自主研发的12英寸碳化硅长晶设备，成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，并在N型碳化硅单晶材料上实现35mm有效厚度的突破。据悉，该公司现已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，自研设备可产出直径达350mm的单晶材料。

天成半导体成立于2021年8月，专注于第三代半导体碳化硅衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造。近年来，该公司在碳化硅领域取得多项重要进展，包括率先实现8-12英寸导电型和半绝缘型碳化硅单晶材料的量产研发。2022年，公司实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产；2023年6月，8英寸碳化硅单晶技术研发取得突破，开发出直径202mm的产品；2024年，8英寸碳化硅单晶实现批量生产，产品厚度均匀性误差小于2微米。

今年7月，天成半导体宣布成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料，攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷生长工艺。其采用的电阻炉工艺使晶体生长速度突破0.4mm/h的行业瓶颈，微管密度降至0.5个/cm²以下，良率达到65%。目前，公司已形成从碳化硅单晶炉制造到晶体加工的完整生产线，实现了全流程工艺自主可控。