三星计划购入两台High NA EUV设备

据韩媒《韩国经济》援引业界消息，三星电子计划在2026年上半年之前投资约1.1万亿韩元（约合7.75亿美元），购买两台ASML最新一代高数值孔径极紫外光（High NA EUV）设备。这一举措被视为三星在先进制程领域技术反攻的重要信号。

三星的采购计划包括在2025年内引进一台ASML量产型High NA EUV设备TWINSCAN EXE:5200B，并于2026年上半年追加购买第二台。值得注意的是，这将是三星首次购入“量产型”High NA EUV设备。此前，三星仅在其位于韩国京畿道华城园区导入过研发用设备。

目前，全球范围内已导入量产型High NA EUV设备的企业仅有英特尔和SK海力士，而台积电目前仅使用研发用设备，尚未进入量产阶段。业界分析认为，三星此次购入量产型设备，表明其已掌握可直接应用于实际制程的技术，为未来竞争奠定基础。

随着全球半导体制造商在“超微细制程”领域的竞赛加剧，High NA EUV设备因采用13.5纳米波长的光源，相比传统深紫外光（DUV）设备的193纳米波长，能够实现更精密的电路曝光，成为生产低功耗、高性能芯片的关键。

三星早在2018年便率先在7纳米晶圆代工制程中引入EUV设备，并于2020年将该技术扩展至存储器生产，均为全球首例。此次导入High NA EUV设备，三星计划将其应用于2纳米以下制程，进一步巩固其技术领先地位。