近年来，随着人工智能、电动车、太空产业和6G等领域的快速发展，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物半导体需求激增。据韩媒《韩国经济》和《东亚日报》援引业界消息，三星电子与DB HiTek正积极投资相关技术，推动功率半导体事业的快速发展。
三星电子的半导体暨装置解决方案（DS）部门在2023年底成立了“化合物半导体解决方案（CSS）”事业小组，开始利用8寸晶圆开发SiC功率半导体。虽然尚未推出正式产品，但三星已设定“尽快启动量产”的目标，并与多家客户合作开发。此外，三星晶圆代工事业部还计划在2024年上半年投资建设GaN试验产线，预计该业务最快将于2026年正式启动。
DB HiTek作为韩国第二大晶圆代工企业，同样将SiC和GaN功率半导体视为未来重点。与业界普遍追求12寸晶圆不同，DB HiTek选择专注于8寸晶圆，通过制造高性能功率半导体和显示系统半导体，成为市场中的隐形强者。2024年12月，DB HiTek宣布投资4,000亿韩元（约合2.8亿美元），计划到2026年实现GaN功率半导体月产能1万片。同时，公司还计划投资7,000亿韩元，目标到2030年实现SiC功率半导体月产能2万片。
目前，DB HiTek的GaN功率半导体已进入试产阶段，并计划于2026年第二季度开始量产SiC功率半导体。相关人士透露，2025年公司将重点放在样品出货和客户开拓上。
DB HiTek策略行销部门负责人沈千万在接受《东亚日报》采访时表示，提升功率半导体效率需要同时掌握SiC、GaN和硅半导体技术，公司目标是利用这三种技术提供最优解决方案。他还强调，建立化合物半导体供应链至关重要，韩国需尽早介入以应对潜在的材料供应风险。
