剑桥氮化镓器件公司（CGD）于10月13日宣布与全球领先的半导体制造商GlobalFoundries（格芯）达成重要制造合作。此次合作将借助格芯成熟的8英寸晶圆制程，扩大CGD独有的ICeGaN®单晶片功率器件的全球供应规模，以满足电动汽车、数据中心和消费电子等领域对高效能氮化镓（GaN）解决方案的迫切需求。
技术亮点：单晶片集成架构提升易用性与可靠性
CGD的核心技术是其ICeGaN®增强型氮化镓（HEMT）技术，该技术源自剑桥大学高压微电子和传感器研究组（HVMS）。ICeGaN®采用独特的单晶片集成架构，将GaN开关、智能介面和保护电路集成在同一GaN晶片上，与市面上常见的多晶片或共封装解决方案形成鲜明对比。
这种设计带来了显著的优势。首先，ICeGaN®器件可直接由常用的矽MOSFET驱动器驱动，简化了客户的设计流程，避免了复杂驱动电路的使用。其次，集成的保护电路提升了抗杂讯能力和过压耐受性，确保了卓越的栅极可靠性。这种整合不仅提高了GaN器件的效率和功率密度，还解决了其在工业应用中的易用性和可靠性问题。
合作意义：巩固供应链能力，加速市场布局
此次合作是CGD迈向全球规模化生产的重要一步。通过与格芯合作，CGD能够确保其核心产品的制造能力和供应链稳定性。CGD首席运营官SimonStacey指出，格芯卓越的代工服务和对GaN技术的投入，将帮助CGD加快下一代GaN功率器件的开发和上市速度。双方将利用格芯成熟的8英寸CMOS晶圆代工平台，以具备竞争力的成本加速单晶片GaN技术的量产。
此外，CGD在技术应用方面也积极布局。公司推出了ComboICeGaN™技术，这是一种混合开关解决方案，将智能ICeGaNHEMTIC与IGBT集成于同一模块中，为电动汽车逆变器提供一种替代昂贵碳化矽（SiC）的高性价比方案。同时，CGD与中国台湾“工业技术研究院”签署了合作备忘录，共同开发高功率密度USB-PD适配器，为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机等应用提供高效电源解决方案。
