在AI产业需求激增的推动下，尤其是OpenAI已与三星、SK海力士两家公司签署存储器供应意向书的影响，市场预测将迎来一波“存储器超级周期”，其规模可能超越2017至2018年的历史高峰期。
据韩国媒体报道，三星电子和SK海力士正加速推进新厂建设，以应对未来至2027年的强劲存储器需求。
从具体布局来看，两家韩国存储器巨头的新厂均聚焦新一代DRAM产品。三星正在韩国平泽厂区建设第四工厂，SK海力士则于龙仁产业园区推进第一工厂建设；完工时间分别为2027年4月和2027年5月，但由于建厂周期较长，业界普遍认为，实际量产需等到2027年下半年才能正式启动，短期内难以快速缓解市场供应压力。
当前，存储器供应商的投资重心已转向高带宽存储器（HBM）。不过，受此前DRAM行业长期业绩低迷的影响，供应商短期内难以大幅扩大投资规模，导致产能释放节奏受限。市场分析指出，这一现状可能使得存储器供应短缺的局面持续一段时间，进一步为“超级周期”的价格上涨提供支撑。
回顾2017-2018年的上一轮周期，DRAM供应商的平均库存量约为3-4周；而截至2025年第三季度末，这一指标已降至3.3周，刷新历史新低，反映出市场库存处于极度紧张状态。盈利能力方面，自2025年起，通用型DRAM的营业利润率已回升至30%，且伴随产品价格持续上涨，利润率仍在稳步攀升。野村证券在报告中预测，DRAM营业利润率有望进一步恢复至40%-50%，并在2026年达到70%的高位水平。
OpenAI与三星、SK海力士的中长期合作，被认为或重塑HBM市场格局。韩国媒体ZDNet Korea援引行业分析指出，若未来英伟达在HBM采购中的比重下降，可能会影响市场对HBM价格的议价能力；但从整体趋势来看，存储器需求正以英伟达为核心，向各大科技企业扩散，需求端的“多点开花”有望延长此次市场繁荣周期。
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