三星与S&S Tech联合申请EUV薄膜框架专利

据报道，韩国掩模制造商S&S Tech与三星近日在韩国联合申请了一项与极紫外（EUV）薄膜框架相关的专利。该专利的专利号为1020240030406，名称为“用于在光刻中使用的光罩上安装防护膜的框架组件”。该专利于去年3月提交，但具体细节直到近期才披露。

薄膜是一种超薄透明薄膜，主要用于芯片生产过程中保护光掩膜。在光刻工艺中，当电路图案被绘制到晶圆上时，防护膜能够有效防止颗粒和杂质附着在光罩表面。这种防护膜的厚度仅为纳米级，不仅需要具备高透光率，还必须能够耐受高温和等离子体环境。

该专利详细描述了如何通过磁力框架组件将防护膜固定到光掩模上。磁力的作用是将螺柱吸附到框架下方的光掩模和夹具上，从而实现防护膜的快速对准。专利还提到，该框架设计便于拆卸和回收，同时减少了粘合剂的使用量，从而降低了排气量。

今年8月，S&S Tech宣布将投资新设施，用于扩大EUV空白掩模和EUV防护膜的生产能力。目前，三星的大部分EUV空白掩模依赖于日本供应商Hoya提供。通过与S&S Tech的合作，三星计划在年内实现部分EUV空白掩模的本地化生产。此外，三星还在评估将S&S Tech和FST作为EUV防护膜的潜在供应商。值得一提的是，三星已与FST在2024年共同注册了一项关于EUV光罩粘合剂的专利。