据天眼查企业平台信息显示，上海微电子近日公开了一项名为“光束调整装置及曝光机”的新专利（公布号：CN119668039A）。该专利涉及半导体制造中光束控制的关键技术，描述了一种包含支撑座、反射镜组与驱动机构的光束调整装置。这一设计通过精确控制反射镜组的转动，避免了不同方向旋转时的串扰，从而显著提升了曝光对位与成像精度。
与此同时，曝光机新兴企业宇量升已将其自主研发的28纳米浸润式DUV曝光机送入中芯国际进行入厂测试（in-fab testing）。据悉，这款设备采用浸润式光学架构，结合多重曝光技术后，理论上可支持7纳米制程。
面对美国对中国高端半导体设备出口的限制，国内正加速推进本土曝光机技术的自主化。据业内人士透露，美国自2023年起不仅限制向中国出口EUV曝光机，还进一步封锁了高端DUV（ArF浸润式）设备的供应。ASML也明确表示，将遵守美方禁令，停止对中国出口最先进的浸润式DUV机台（如TWINSCAN NXT:2000i系列），这对国内在28纳米及以下制程的量产能力造成了显著影响。
在此背景下，上海微电子通过专利布局，积极构建技术护城河。此次公开的专利聚焦于改善核心成像品质与控制精度，这对于实现更小节点制程的稳定曝光至关重要。据官方说明，该装置可提升芯片图形加工品质与成品率，为国产DUV曝光机的精度与稳定性提供保障。
尽管国内DUV曝光机仍面临高NA镜头制造能力不足、光源功率稳定性等问题，但随着宇量升、上海微电子等厂商的技术突破，以及国家政策的支持，国内正逐步形成一条“不依赖ASML”的DUV自主技术路线。
业界分析人士指出，若宇量升的浸润式DUV机台能在中芯国际通过长期产线验证，将为国内制程能力带来实质突破。同时，上海微电子的专利布局将为后续量产版本提供重要技术支撑。这两条技术线的进展，将直接影响国内能否在未来2~3年内突破28纳米以下的制程瓶颈，降低对西方设备的依赖。
