Imec实现两项High NA EUV技术突破

比利时微电子研究中心（Imec）近日宣布在高数值孔径（High NA）极紫外光（EUV）微影技术领域取得两项重要突破。这些成果将为2纳米及以下制程节点的量产奠定基础，并显著推动行业向埃米时代迈进。

据Semiconductor Digest报道，Imec的部分研究成果得益于欧盟NanoIC试产线的支持，同时也凸显了其与ASML长期合作的重要性。双方正共同推动High NA EUV技术的量产化进程。其中一项突破是在镶嵌金属化制程中，通过单次High NA EUV曝光实现20纳米导线间距和13纳米端点临界尺寸，同时测得局部临界尺寸均匀性（LCDU）最低为3纳米。这一成果得益于金属氧化物抗蚀剂（MOR）的应用，以及底层、照明孔径形状和光罩的优化。

另一项突破则是通过直接金属蚀刻（DME）技术，在单次High NA EUV曝光下实现20纳米间距钌（Ru）导线的100%电性良率。Imec团队成功构建了20纳米和18纳米间距的钌导线结构，端点临界尺寸可达15纳米，且能够形成低电阻的功能性互连。这一技术为传统镶嵌金属化制程提供了替代方案。

Imec资深副总裁Steven Scheer表示，这些成果标志着行业技术的重大进展。Imec与ASML联合成立的High NA EUV实验室已积累了3年的生态系统准备经验，致力于加速先进制程技术的落地。这些技术突破不仅巩固了Imec在微影研发领域的领先地位，也为落实《欧洲芯片法案》、拓展2纳米以下节点制程提供了重要支持。

目前，Imec正与晶圆代工厂、设备商、材料供应商、光罩公司及量测厂商等合作伙伴携手，持续优化High NA EUV微影与图形化技术，推动相关技术的进一步发展。