国内厂商加速布局12寸碳化硅晶圆

在全球第三代半导体竞争中，碳化硅（SiC）晶圆尺寸的扩大被视为降低成本、提升功率器件性能的关键。当国际厂商仍以6寸和8寸SiC为主流时，国内厂商已在12寸碳化硅晶圆领域取得显著进展，试图抢占新一轮材料技术竞赛的制高点。

天岳先进率先实现12寸基板系列化

来自山东的天岳先进科技（SICC）是碳化硅基板领域的代表性企业。据公司官网及SEMICON China 2025展会信息显示，天岳先进已率先推出12寸高纯半绝缘型（Semi-insulating）、P型和N型基板的完整产品系列。这不仅标志着其在晶体生长技术上的突破，也表明其在缺陷密度控制和加工工艺上形成了完整技术链条。

天岳先进强调，12寸基板的推出不仅体现了技术能力的飞跃，还为下游功率器件和射频芯片提供了更多合作机会。大尺寸晶圆能够显著提升单片晶粒切割数量，从而有效降低生产成本，增强市场竞争力。

晶盛机电实现12寸试产线贯通

浙江晶盛机电旗下的晶瑞SuperSiC也在12寸碳化硅领域取得重要进展。据晶盛机电透露，其在2024年底成功开发出12寸导电型SiC晶体，并解决了长晶过程中温场均匀性和开裂等技术难题。今年5月，晶瑞SuperSiC成功实现了12寸导电型SiC单晶生长技术突破，首颗12寸SiC晶体成功出炉。

9月26日，晶盛机电宣布其首条12寸碳化硅基板加工试产线正式贯通。这标志着公司已实现从晶体生长到基板加工和检测环节的全线设备自主研发，具备100%本土化生产能力。这一进展对大尺寸SiC自主供应链具有里程碑意义。晶盛机电表示，12寸导电型基板将主要用于高压功率器件和电动车领域，特别是在车规级MOSFET和IGBT替代方案上具备明显市场优势。

新兴企业崭露头角

除了天岳先进和晶盛机电，还有一些新兴企业在12寸碳化硅领域崭露头角。例如，北京晶飞半导体通过中国科学院技术成果转化，成功开发出自主雷射剥离（Laser Lift-off, LLO）设备，完成了12寸SiC晶圆的剥离与切割。哈尔滨科友半导体则宣布其自主研发的长晶炉及热场技术成功制备出12寸碳化硅晶锭，预计可提升芯片产出量2.25倍，为终端产品如AR眼镜等核心元件降低成本。

全球竞争仍具挑战

从全球产业观察来看，国际大厂如Wolfspeed、Coherent（前II-VI）和住友电工（Sumitomo Electric Industries）仍以6寸和8寸SiC为主流，12寸晶圆尚处于技术探索阶段，短期内大规模供应仍面临挑战。尽管国内企业在12寸碳化硅研发端屡传捷报，但业界普遍认为，距离真正实现量产仍需时间。