英特尔正加速推进其在美国的半导体制造布局，计划于2025年下半年在亚利桑那州Chandler Ocotillo厂区的Fab 52晶圆厂实现18A制程的大规模量产。据英特尔透露，18A制程将为未来至少三代客户端和服务器产品奠定基础，同时带动未来十年的晶圆产量增长。
英特尔的18A制程采用多项创新技术，包括业界首创的PowerVia背部供电技术与RibbonFET环绕闸极晶体管架构。与Intel 3制程相比，18A在每瓦效能上提升15%，芯片密度提高30%。此外，PowerVia通过将供电金属线路移至芯片背面，显著提升单元利用率和效能，而RibbonFET则能更精确控制电流，降低漏电并缩小芯片体积。
英特尔的晶圆厂布局不仅限于美国本土，还包括爱尔兰、以色列等地，同时其测试组装厂分布在中国、马来西亚和越南。在代工策略上，18A与18A-P将作为未来核心制程节点，而14A则专注于定制化需求，以优化资本支出。
与此同时，英特尔的PowerVia技术与台积电的Super Power Rail（SPR）形成竞争。据英特尔说明，PowerVia可提升单元利用率5~10%，并在相同功耗下提升效能约4%。而台积电的SPR预计于2026年下半年在A16制程中量产，届时将带来更高的性能与密度提升。
英特尔CEO陈立武表示，公司正严格控制资本支出，优化组织架构，管理层缩减约50%，员工总数降至7.5万人，以提高效率。此外，英特尔已获得美国政府支持，通过《芯片与科学法案》获得10%股权补助，同时软银与NVIDIA分别注资20亿美元和50亿美元。
