高通未来两代旗舰芯片或采用台积电N2P制程

据Wccftech援引社群媒体X平台科技爆料帐号@reikaNVMe消息，美国芯片大厂高通计划在2026年量产的后两代旗舰芯片Snapdragon 8 Elite Gen 6和Gen 7中，采用台积电2纳米N2P制程技术。这一决定主要基于成本与性能的综合考量。

台积电的技术资料显示，N2P制程与N2制程采用相同设计规则，但在相同频率下，N2P的性能提升约5%，功耗降低约5%。高通希望通过提高核心频率，在性能与能耗之间实现更优平衡。

此外，高通与联发科均对台积电3纳米N3P制程的成本表示担忧。据悉，Snapdragon 8 Elite Gen 5和天玑9500采用该制程时，成本增加了约24%。而台积电2纳米制程的报价预计还将上涨约50%。因此，高通倾向于选择效能与能耗表现更佳的N2P制程，以确保产品竞争力。

尽管三星电子的2纳米GAA制程已准备量产，并计划率先用于Galaxy S26系列的Exynos 2600处理器，但目前尚无迹象表明高通会考虑与三星合作。不过，市场不排除高通可能与三星进行少量试产合作。如果三星的制程在性能、功耗和良率方面达到标准，或可成为高通的备选方案，不仅能增加与台积电的谈判筹码，还能降低对单一供应商的依赖，进一步分散制造成本压力。