近日，在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的“2025 SPIE 光掩模技术 + EUV 光刻会议”上，比利时微电子研究中心（imec）公布了单次打印High NA EUV光刻的两项重要成果。这些成果为2nm以下逻辑技术节点的发展提供了重要支持。
imec实现了间距为20nm的线结构，其尖端到尖端临界尺寸（CD）达到13nm，适用于镶嵌金属化工艺。此外，还通过直接金属蚀刻（DME）工艺成功获得了20nm间距钌（Ru）线的电气测试结果。据imec透露，这些突破性进展得益于欧盟NanoIC试验线的支持，同时也凸显了imec与ASML合作在推动高NA EUV光刻技术生态系统中的关键作用。
imec计算系统扩展高级副总裁Steven Scheer表示，与多重曝光相比，单次High NA EUV光刻技术能够显著减少处理步骤，从而降低制造成本和环境影响，同时提升生产效率。这些成果不仅支持了镶嵌金属化技术，还为互连层的进一步优化奠定了基础。例如，13nm T2T结构的局部CD均匀性（LCDU）低至3nm。
在钌金属化研究方面，imec展示了与单次曝光高数值孔径EUV光刻技术兼容的钌线结构，包括20nm和18nm间距的线结构，以及15nm T2T结构。测试结果显示，20nm间距的金属化线结构实现了100%的电测试良率。
据imec介绍，这些成果是在荷兰费尔德霍芬设立的ASML-imec高数值孔径EUV联合实验室完成的，标志着该技术在埃级时代的进一步推进。未来，imec将继续与芯片制造商、设备供应商及其他合作伙伴共同优化High NA EUV光刻技术，以支持逻辑和存储器技术的发展路线图。这些进展也为实现《欧洲芯片法案》中关于2nm以下逻辑节点的目标提供了重要助力。
