据报道，SK海力士计划到2027年新增约20台极紫外（EUV）光刻设备，使现有设备数量翻倍，目标是跻身全球前三。每台EUV设备的价格高达3000亿至5000亿韩元，总投资预计至少6万亿韩元。新增设备将部署在清州M15X工厂和利川M16工厂，主要用于提升下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）的生产能力。
EUV光刻技术以其10纳米级电路的刻画能力，显著提升了晶圆的生产效率和产品性能。该技术将率先应用于年底量产的HBM4用第五代DRAM（1b），随后逐步扩展至第六代DRAM（1c）和第七代DRAM（1d），其中1d的量产转移最快将于明年启动。
此外，SK海力士的投资还将带动EUV专用材料需求的增长。公司已与JSR、杜邦等供应商展开协商，计划扩大相关材料的供应规模。不过，关于具体的合作细节，SK海力士暂未披露更多信息。
