据俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov通过X平台曝光的消息，俄罗斯科学院微观结构物理研究所主导的光刻机研发项目有了新进展。最新路线图显示，俄罗斯预计在2026年完成65-40nm分辨率光刻机的研发，2032年前实现28nm分辨率光刻机，最终在2036年前推出可生产10nm以下制程的极紫外线（EUV）光刻机。
据悉，该项目最早于2024年12月公布，目标是开发一种比ASML系统更经济的EUV光刻机。其采用波长为11.2nm的氙气激光光源，而非ASML使用的13.5nm波长。这一技术路线被认为可以提升分辨率约20%，同时降低光学系统成本并减少污染。
研发分为三个阶段：2026-2028年推出60-40nm分辨率光刻机，采用双镜物镜系统，生产效率为每小时超过5片晶圆；2029-2032年开发65-28nm分辨率光刻机，采用四镜物镜系统，生产效率提升至每小时超过50片；2033-2036年实现28-13nm分辨率光刻机，采用六镜物镜系统，生产效率达每小时100片以上。
值得注意的是，俄罗斯的EUV光刻机技术与ASML存在显著差异。例如，ASML的设备通过激光轰击金属锡滴产生光源，但易产生碎屑污染光罩。而俄罗斯采用氙气激光器，能减少污染并延长关键部件寿命。然而，这一技术路线也带来新挑战，包括所有光学元件、光罩设计和光阻剂都需要针对11.2nm波长重新优化。
此外，由于11.2nm波长无法兼容现有13.5nm的EUV生态系统，俄罗斯还需开发配套的EDA工具及其他支持技术。虽然这一技术简化了部分工艺，但生产效率仍较低，预计第三阶段设备的生产效率仅为ASML EUV光刻机的一半。
总体来看，俄罗斯的EUV光刻机研发虽有理论优势，但实际应用仍面临诸多技术和生态难题，距离大规模商用还有很长的路要走。
