9月26日，晶盛机电宣布旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线。该生产线从晶体生长到检测环节的设备均实现自主研发与100%国产化。
据公司介绍，此次贯通的中试线覆盖晶体加工、切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗及检测全流程工艺，所有设备与技术均为国产。其中，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心设备由晶盛机电多年研发完成，性能指标达到行业领先水平。这一成果彻底解决了关键装备“卡脖子”问题，为下游产业提供了新的成本与效率基准。
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的核心代表，具备耐高压、高频、高效等特性，广泛应用于新能源汽车、智能电网和5G通信等领域，并逐渐在AR设备、先进封装等新兴场景中发挥重要作用。相较8英寸产品，12英寸SiC衬底单片晶圆产出量提升约2.5倍，显著降低长晶、加工和抛光等环节的单位成本，成为推动下游应用降本增效的重要路径。
至此，晶盛机电已形成12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环，进一步巩固了其在第三代半导体领域的技术优势。
