据韩媒Business Post、G-enews等援引投资银行Jefferies报告指出，尽管国内AI芯片设计领域近年来发展迅速，但受美国持续制裁影响，芯片制造能力不足已成为制约国内半导体产业突破的核心瓶颈。
当前国内AI芯片的本土生产高度依赖中芯国际，但两大难题直接限制其供给能力：
一方面，中芯国际现有产能难以匹配快速增长的市场需求，供需缺口持续存在；另一方面，受美国出口管制政策影响，中芯国际始终无法获得ASML最先进的极紫外线（EUV）曝光设备。除光刻设备外，国内在先进沉积、蚀刻、离子注入等半导体关键设备的获取上，同样面临严格限制，进一步压缩了本土制造技术迭代的空间。
本土制造受限的情况下，IC设计公司寻求海外代工的路径也被美国制裁逐步封堵。
自2025年1月起，美国商务部已对先进AI芯片实施更严苛的生产管制：搭载高带宽存储器（HBM）的AI芯片，不得采用16纳米或14纳米以下制程，且芯片内晶体管数量不得超过300亿个。这一规定直接切断了国内企业委托三星电子、台积电等全球头部代工厂生产先进AI芯片的可能。
管制带来的技术差距已十分显著。以行业龙头英伟达为例，其H100 GPU晶体管数量高达800亿个，前一代A100也达540亿个，均远超美规对中国相关芯片300亿个晶体管的上限；制程上，英伟达芯片早已采用先进工艺，而国内企业受限于14nm以上制程，技术代差已拉大至“数代”水平，在AI算力竞争中处于明显劣势。
华为的案例更直观地反映了国内AI芯片产业的制造困境。华为2024年原计划推出基于5纳米制程的新一代昇腾AI芯片，但受限于先进制程产能不足，最终不得不调整方案，以7纳米工艺芯片重新封装的方式推出产品。
从“5nm”到“7nm”的妥协，看似只是制程节点的小幅后退，实则暴露了国内企业在先进芯片制造环节的被动，即便设计能力达到先进水平，也难以找到匹配的生产资源落地，设计与制造的“断层”问题愈发突出。
报道称，中美贸易谈判或成为未来的一个变量。国内或可借助稀土等关键资源作为谈判筹码，在中美贸易磋商中争取半导体设备进口、代工合作等领域的政策松绑，为AI芯片制造突破寻求更多空间。
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